报告人：肖晨
时间：9月16日（周三）下午2：00开始，学院楼4042会议室
内容摘要：先进芯片制造对晶圆表面加工精度及光刻装备运行稳定性提出了亚纳米级要求，原子级材料去除与运动界面磨损的可控性成为关键。围绕两类过程共同涉及的界面材料迁移问题，结合环境可控的单点接触实验与分子动力学模拟，揭示界面化学键桥形成及剪切诱导基底化学键断裂驱动的原子逐个迁移机制，阐明机械化学反应的触发条件与能量耗散规律。在所研究体系中，机械化学作用下材料迁移所需耗散能量仅为机械作用的1%。基于热激活理论与界面键合机制，建立多因素耦合的原子层状去除量化模型，提出“表层限域反应与外场定域调控”协同方法，利用电场、紫外光和超声振动调控界面机械化学反应，实现典型半导体及光刻光学材料的高精度低损伤加工。面向光刻装备运维，进一步揭示极端工况下运动界面的摩擦磨损机制，构建加速寿命测试与预测模型，并开发抗磨减摩复合涂层。研究为先进芯片工艺中的原子级可控去除及光刻装备精度保持与寿命提升提供理论依据和调控途径。
肖晨简介：西南交通大学教授，博士生导师，国家高层次青年人才，长期从事半导体先进制程和高端光刻机关键部件超精密制造与运维延寿研究。曾任世界光刻机巨头荷兰ASML纳米光刻先进研究中心青年研究员、阿姆斯特丹大学物理系博士后，美国宾夕法尼亚州立大学化工系访问学者。发表Nano Lett.、ACS Appl. Mater. Interfaces、Carbon、JACS、PRL等论文100余篇，其中一作或通讯作者SCI论文40余篇。授权中国发明专利2项。主持国家自然科学基金、四川省科技厅等多项课题。曾获得中国机械工程学会“上银优博”优秀奖、第14 届国际机构学和机械科学联合会最佳研究论文奖、2023 年中国科协优秀科技论文（摩擦学领域年度唯一）