王子恒

发布者：张兰芳发布时间：2026-04-10浏览次数：10

姓名：王子恒

性别：男

职称：青年研究员，硕士生导师

最高学位：博士

个人简介：

2020年5月本科毕业于电子科技大学，2021年5月硕士毕业于美国Rutgers大学，2025年12月博士毕业于上海交通大学集成电路学院，2026年1月加入东华大学机械工程学院，担任青年研究员。



研究方向：

  1. 新型半导体材料、器件与工艺，

  2. 单片三维集成技术

  3. 微纳器件加工与测试



代表性论文：

  1. Z. Wang, J. Zhao, K. Jiang, et al., “In2O3–ZnO Superlattice Transistors by Atomic Layer Deposition with High Field-Effect Mobility,” IEEE Electron Device Lett., vol. 46, no. 3, pp. 412-415, 2025.

  2. Z. Wang, L. Zheng, Z. Lin, et al., “CMOS Logic and Capacitorless DRAM by Stacked Oxide Semiconductor and Poly-Si Transistors for Monolithic 3-D Integration,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 71, no. 8, pp. 4664-4669, 2024.

  3. W. Tang, Z. Lin†, Z. Wang†, et al., “Monolithic 3D Integration of Vertically Stacked CMOS Devices and Circuits with High-Mobility Atomic-Layer-Deposited In2O3 n-FET and Polycrystalline Si p-FET: Achieving Large Noise Margin and High Voltage Gain of 134 V/V,” in 2022 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, pp. 483-486.

  4. Z. Wang, Z. Lin, M. Si, and P. D. Ye, “Characterization of Interface and Bulk Traps in Ultrathin Atomic Layer-Deposited Oxide Semiconductor MOS Capacitors With HfO2/In2O3 Gate Stack by C-V and Conductance Method,” Front. Mater., vol. 7, pp. 1-7, 2022.



联系方式：

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