近日，机械与工程学院刘向军研究员团队在基于忆阻器的类脑芯片研究方面取得重要进展，相关成果以“揭示晶界在驱动硫化钼神经形态器件面内导电细丝形成中的关键作用（Unveiling the role of grain boundaries in driving in-plane conductive filament formation in MoS2 neuromorphic devices）”为题,发表在物理学领域知名期刊《Applied Physics Letters》上。该论文因创新性和学术影响力突出，被期刊遴选为“精选论文（Featured Article）”，并入选期刊封面文章，在期刊主页重点报道。东华大学机械工程学院为第一单位，博士生孙骥晟为第一作者，刘向军研究员为通讯作者。
面向人工智能对低功耗、高效率计算硬件的需求，类脑芯片成为突破传统冯·诺依曼架构瓶颈的重要方向。忆阻器是构建类脑芯片的核心器件，其性能取决于导电细丝的形成与调控机制。本研究系统揭示了MoS2中4|6晶界在驱动类脑芯片忆阻器内导电细丝形成中的关键作用，从原子尺度阐明了导电细丝的形成与迁移机制。研究结果为二维材料忆阻器和类脑芯片设计提供了重要理论支撑，对推动新型人工智能硬件的发展具有重要意义。
(Cu原子在不同类型MoS2中的迁移路径及迁移势垒)
该研究工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、上海市科委及东华大学学科建设科研能力提升计划等项目资助。
（论文链接：https://doi.org/10.1063/5.0302223）